2025年10月8日，复旦大学科研团队在《自然》期刊发表突破性成果，宣布成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。该芯片创新性融合“破晓”二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺，实现400皮秒级超高速非易失存储，性能远超传统Flash技术。团队攻克二维材料与硅基电路集成难题，芯片良率达94.3%，首次实现混合架构工程化。这项技术有望颠覆传统存储架构，为AI、大数据提供低功耗、高速度的存储解决方案，标志着我国在下一代存储技术领域占据主动权。
2025年10月8日，复旦大学科研团队在《自然》期刊发表突破性成果，宣布成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。该芯片创新性融合“破晓”二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺，实现400皮秒级超高速非易失存储，性能远超传统Flash技术。团队攻克二维材料与硅基电路集成难题，芯片良率达94.3%，首次实现混合架构工程化。这项技术有望颠覆传统存储架构，为AI、大数据提供低功耗、高速度的存储解决方案，标志着我国在下一代存储技术领域占据主动权。