光刻技术
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阿斯麦与台积电推进12英寸高NA EUV光罩:AI芯片制造为何提前布局
阿斯麦与台积电于2026年9月8日启动高NA EUV光罩合作,推动平台由6英寸转向12英寸,计划2031年前建试产线、2033年前具备量产支持能力。该布局旨在减少曝光拼接限制、提升先进AI芯片制造效率,但成本、良率与实际收益仍待验证。
阿斯麦与台积电于2026年9月8日启动高NA EUV光罩合作,推动平台由6英寸转向12英寸,计划2031年前建试产线、2033年前具备量产支持能力。该布局旨在减少曝光拼接限制、提升先进AI芯片制造效率,但成本、良率与实际收益仍待验证。